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)功率器件已成为破解目前困难的理念抉择。GaN是一项新兴本领，希望进一步提升功率、开闭速率以及低浸开闭损耗=尊龙凯时人生就博。这些□上风让功率密度更高的=办理计划成为恐怕。
方今市集上充溢着巨额差异的SiMOSFET驱动器，而新的GaN驱动器和内置GaN驱动器的掌管器还必=要几年才调面世壁挂电视安设费众少钱。除了简…陋的专用GaNFET驱动器（如 LT8418)外，市集上还存正在针对GaN 的纷乱降压和升压掌管器（如LTC7890，尊龙凯时人生就博 LTC7891)。目前 的四开闭降压-升压□…办理计■划仍■有些○纷乱，但驱动Ga NFET并不像看 ▽★起来那么麻烦。操纵极少简陋的后台常识，可能通过调治针对Si▽ MOSFET的掌管器来驱动 Ga○NFET。LT8390A是一个很好的抉择。这是一款专业的2 MHz降○压-升压▽掌管器，死区时光(25 ns)格外短，参睹图1通信统制机 照片。该降压-升压计划的检 测 电阻与电感串联，且位于两个热环途的外部，这是○降压…-升压 计 划的 一 个新性 子，让掌管器或许正在升压 和降压就业区域（以及四开闭降压-升压）中以峰值电流掌管形式运转。本文深切琢磨了四开闭降压-升压GaNFET掌管通信统制机照○片，但其道理○同样实 用于简陋的降压或升压 掌管器。
对付高功率转换，硅驱动器大凡 就业正 在5 ○V 以上，样板的硅MOSFET栅极驱动器电压鸿沟为7 V至10 V以至更高。这对GaNFE□T提出 了寻事壁挂电视安设 费△众少钱，由于其绝对最大 栅极电压额定值大凡为6 V。以至栅极和源极回途上的杂散PCB■电感△惹起的振铃即使领先最大栅极电压通信统制机照片，也恐怕导致灾难性的阻滞。相干打 ▽算职员务必详尽…思量构造，尽恐怕低浸 栅极和源极回▽途上=的电感尊龙凯时人生就博壁挂电视安装费多少钱高频开关电源直流屏通讯管理机照片，才调安宁有用地驱动GaNF…ET
L□■T8390A供应专 为较 低栅极驱动FET打算的5 V栅极驱动器，于是是驱动GaNFET 的理念抉▽择。题目是硅FE…T驱动器大凡缺乏针对无意过压的爱戴。更实在地说，硅栅极驱动器上顶部FET的自 举电源不受 安排，这意味着顶部栅极驱动器很容易漂移到GaNFET的绝对最大电压以上。图2供应 明了决此○题目的=计划：将一个5。1 V齐纳二极管（D5和D=6）与…自举电▽容并▽ 联，进而确保栅极电▽压永远正在 安宁就业鸿沟内<△stron=g>高频开闭电源直流屏。
另外，为了供应更好的爱戴，增加一个10 Ω电 阻与自举二 极管（D○■3和D■4）串联，以减小超迅疾和高功率开 闭节点恐怕惹=起 的任□何振铃。
守旧转换器中有一个续流二 极管，它正在闭断时期导通。同步转换 □器用另一个开闭替代续流二…极管，以淘汰二极管的正 领导 通损耗=高频开闭电源直流屏< /strong>。然而，即使顶部和底部开闭同时导通高频开闭电源直流屏，就会产生阻滞，导致击穿。即使产生击穿，则两个FE △T○都恐怕短途▽接地，进而酿成器件阻滞和其他灾难性后果。为了预防这种情景，掌管器设立了死区时光，即顶▽部和底部开○闭★△ 均不导通△的时■光…段。样板同步DC-DC掌管 器完成的死区时光长达60 n s。体二极管正在此时期导通，所以对付硅○MO◁SFET来说，活该区时光不会酿成费事。
Ga NFET没有体二极管，导通和★闭断的速率比硅M OSFET疾得众。GaNFET可能正在2 V至4 V的电压下=导通，而二极管的样板 导通电◁压为 0。7 V。导通电压乘以导通电流，恐怕导致死区时光★内的 功率损耗增补近6倍。功率损耗的增补，加上较长的死区时光，恐怕▽酿■成FET过热=和 损坏。对比好 的办理计划 是尽量缩短死区◁时光。然而，蓝本用于硅FET的掌管器是依照硅F○ET迂缓◁的通断性子（数十纳秒）△ 来打算死区时光，为预防击穿，死区时光大凡较长。 LT8390A设定的死区时◁光为25 ns尊○龙凯时人生就博，与市集上的很众同步掌管器=比 ■拟，活该区时光相对较短。该器件实用于高频、高功率MOSFET掌管，但对付Ga○★○■NFET来说仍旧 太长。GaNFET的导通速率很疾，仅几纳秒。因。尊龙凯时人生就博