尊龙凯时人生就博智能蓄电池放电仪
2024年2月25日-29日，邦际电力电子运 用□博览会（APEC）正在美邦洛○杉矶举办，由IEEE -财富运用学会(IAS)、电力电子学会(PELS)智能蓄电池放电仪，美邦电源筑设商协会(PSMA) 合伙主办，环球着名电 力电子企业将集聚于此，显现电力电子产物和体系范围的最新技能进步和研发效率智能蓄电池放电△仪。
英诺赛科是一家环 球领先的8英寸 GaN IDM企业，旨正在打制基于高职 能硅基氮化镓的低碳、节能的能源生态体系。正在 邦际电○○力电子运用 ■□博览会（APEC）上，英诺赛 科携全系列新产物和前辈运用计划，以“Fill the W orld ○w ith Ga★N”为焦点，显现了○氮化镓…正在众场景中的魅力。
个中，针对低压氮化镓，英诺赛○科推出 了几款▽全新□运■用，充电头网带你清楚一下。尊龙凯时人生就博
针对 BM=◁S 运★用范○围，英诺赛科开荒了16S/120A BMS 评估板，搭配100V 双领导通VGaN ★（ INV100FQ030A）告终充放电掌管与维持。与Si 计划比拟，其PCB占板面积及 本钱 消○重40%以上。得益于VGaN的器○件职能，该计划不○光做到了体积小（65mm○*180mm），体系本钱低的上风，还告终了最佳散热职能。
个中，IN○V100FQ 030A 是一■款100V □双领导通器○件，可正在电池约束体系、双向变换 器的高侧负○荷 ■开闭、电源体系中的开闭电途等范围告终高效运用。
英诺△赛○…科产物部Shawn展现：“一颗 VGaN 可■能取代两颗共漏相连的背靠背Si MOSFET，告终电池充电和放电□ 双向开闭，进一步减小导通电阻，消重损耗。VGaN… 器○件采用单 Gate 计 划，通过掌管 Gate到 Drain1/Dr■a in 2 的逻辑，告终充电维持可放电、放电维持可充电；同时大幅省略器件数目，缩小占板面积，消重举座体系本钱。”！
IN V100FQ030A 采 △用兼 ★★○容引脚★计划，采用 F▽CQ▽F N 4x6m m 封装，客户可能依□ 据分歧的运用需求举办规 格选型。
为便于客户验证和导入，英诺赛科同步供应 B○MS 体 系治理计划，尊龙凯时人生就博计划计划涵盖低边同口、高边同口、高边分口等。INV○100FQ030A 正在 电池 约 束体系 (BMS) 中外现出明白○上风，具备伟大的市集潜力。
为了餍足数据核心高功率密度的需 求，1kW ▽48V-12V计 划○正在原边（100V器件）和副边（40V器件）都采用了GaN，同时为了最 大□节制地降低功率密度并简化=电途，100V 器件选用了英诺赛科最新的集成SolidGaN （I SG3201），配合业内领先的磁集=成矩阵变压器计划，将开闭频率晋□△升 至1MHz，举座 计划体积▽ 仅39m▽mx26mm□x7。5mm， 峰值效用达98。5%。
SolidGaN IS G3201 是 一颗耐 压 ★100V 的半桥氮化镓合封 芯片，其内部■集成了2颗 100V/3。2mΩ 的巩固型 GaN 和1颗 100V 半桥驱动，通过内部集成驱动器，优化驱动回途和功率回途，明显消重寄生△○电感▽ □和开闭尖峰， 进一步降低1000W 48V 电源模块体系的举座职能和牢靠性。产物面积（5mmx6。5mm）仅略大于单颗圭臬 5x△6 Si 器件，相对付Si计划 的PCB占板面积减小了73%。针对谐振软开闭运用，GaN 的软开闭FOM 仅为 Si 的45%，这就意味着正在高 频软开闭运用中，100V GaN○ 的职能★加倍杰出。该芯片还具有独立的高侧和低侧PWM信号输入，并救援TTL电平驱动，可由专用掌管器或 通用M□C△ U举 办驱动掌管，是数据核心模块电源，电机驱动以及D△类功率…放大器等48V电源体系的最佳采选。尊龙凯时人生就博
I NN□040FQ015A 是一颗耐压 40V 导阻 1。5mΩ 的巩固型氮化镓晶体管